부자재 물량이 먼저 말해주는 증설의 속도
반도체 기업의 장비 발주나 소재 발주량은 대외적인 발표보다 훨씬 정직하게 양산 규모를 보여줍니다. 2026년 9월 20일 반도체 업계에 따르면, 삼성전자는 차세대 고대역폭메모리인 6세대 HBM4 및 7세대 HBM4E 생산에 필수적인 '글래스 캐리어(Glass Carrier)'의 외주 세정 물량을 내년에 월 5만 장으로 늘리기로 결정했습니다. 보도
글래스 캐리어는 지난해 월 1만 장 수준에서 올해 월 2만 장으로 늘어난 데 이어, 내년에는 2.5배로 수직 상승합니다. 업계 전문가들은 세정 후 재사용되는 특성과 수율 변수를 감안하더라도, 부자재 수요가 2.5배 늘어난다는 것은 내년 HBM4와 HBM4E의 실질 생산량이 올해 대비 최소 2배 이상 급증함을 뜻한다고 분석했습니다. 보도
웨이퍼가 휠 때 유리가 잡아준다
고대역폭메모리는 제한된 규격 안에 12장, 16장의 D램 다이를 수직으로 쌓아 올려야 합니다. 적층 수가 늘어날수록 개별 D램 웨이퍼의 두께를 수십 마이크로미터(㎛) 수준으로 극도로 얇게 갈아내야 합니다. 보도
문제는 이렇게 얇아진 웨이퍼에 실리콘 관통전극(TSV) 구멍을 뚫고 연마하는 과정에서 웨이퍼가 종이처럼 휘거나 부서지기 쉽다는 점입니다. 글래스 캐리어는 웨이퍼 하부에 임시로 단단히 접합되어 가공 과정의 휨(warpage)과 균열을 막아주는 지지대 역할을 합니다. 공정이 끝난 후 떼어내어 세정한 뒤 다시 다른 웨이퍼에 투입됩니다. 고단 HBM 공정에서 글래스 캐리어 회전량이 곧 생산 속도를 좌우하는 셈입니다. 보도
| 공정 지표 | 2025년 기준 | 2027년 목표 전망 | 변화율 및 의미 |
|---|---|---|---|
| 글래스 캐리어 세정량 | 월 20,000장 | 월 50,000장 | 2.5배 확대 (고단 적층 집중) |
| 전체 HBM 웨이퍼 투입량 | 월 18만 장 | 월 25만 장 | 약 40% 생산능력 순증 |
| HBM4 계열 제품 믹스 비중 | 약 40% | 약 80% | 구형 HBM3E에서 세대교체 완료 |
1c D램과 4나노 베이스 다이의 승부수
삼성전자는 이미 올해 2월 10나노급 6세대(1c) D램과 자체 4나노 파운드리 공정 베이스 다이를 적용한 HBM4의 양산 출하를 시작했습니다. 이어 5월에는 엔비디아 등 주요 AI 가속기 고객사들에게 12단 적층 HBM4E 샘플을 전달하고 퀄 테스트를 진행 중입니다. 보도
반도체 업계는 내년 삼성전자의 월평균 HBM 웨이퍼 투입량이 올해 약 18만 장에서 25만 장으로 40%가량 늘어날 것으로 보고 있습니다. 더욱 중요한 것은 질적 변화입니다. 전체 출하 제품 중 HBM4 패밀리가 차지하는 비중이 올해 40% 선에서 내년에는 80% 수준으로 수직 상승합니다. 고수익 차세대 제품으로 라인을 전면 전환하여 AI 메모리 시장의 주도권을 되찾겠다는 포석입니다. 보도
